portada Эуф Литография на Длине Волны 13,5 нм: Развитие Диагностических Методов для Задач Проекционной Литографии 13,5 нм (en Ruso)

Эуф Литография на Длине Волны 13,5 нм: Развитие Диагностических Методов для Задач Проекционной Литографии 13,5 нм (en Ruso)

Formato

Libro Físico

Editorial

Lap Lambert Academic Pub

Autor

Алексей Пестов

Idioma

Ruso

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9783844352924

Эуф Литография на Длине Волны 13,5 нм: Развитие Диагностических Методов для Задач Проекционной Литографии 13,5 нм (en Ruso)

Алексей Пестов (Autor) · Lap Lambert Academic Pub · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 25 a 32 días háb.

$ 142.48$ 78.36

-45%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 10 unidades

$ 78.36

Llega entre el 30 Sep y el 14 Oct a Quito, Pichincha. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Эуф Литография на Длине Волны 13,5 нм: Развитие Диагностических Методов для Задач Проекционной Литографии 13,5 нм (en Ruso)"

Proektsionnaya litografiya s dlinoy volny 193 nm v nastoyashchee vremya yavlyaetsya klyuchevoy tekhnologiey pri proizvodstve elementov mikroelektroniki s pomoshch'yu kotoroy osushchestvlyaetsya "zapis'" topologicheskogo risunka na fotoreziste s posleduyushchim proyavleniem. Blagodarya primeneniyu razlichnykh metodov uluchsheniya izobrazheniy razreshenie litograficheskikh ustanovok uzhe prevzoshlo difraktsionnyy predel i dostigaet 32 nm. Tsenoy etogo yavlyaetsya ogranichennyy nabor topologiy, snizhenie proizvoditel'nosti i dorogovizna litograficheskogo protsessa. Ekonomicheski vygodnoe osvoenie tekhnologicheskikh norm 10-30 nm svyazyvaetsya s litografiey ekstremal'nogo ul'trafioletovogo (EUF) diapazona, v kotorom osnovoy opticheskikh elementov yavlyayutsya mnogosloynye interferentsionnye struktury (MIS). Nesmotrya na uspekhi, podtverdivshie perspektivy EUF litografii dlya formirovaniya nanostruktur, na puti k kommercheskomu litografu na 13,5 nm predstoit reshit' eshchye ryad nauchnykh i tekhnologicheskikh problem. V dannoy rabote predlagayutsya metody diagnostiki i optimizatsii MIS, izuchayutsya chuvstvitel'nost' i razreshenie EUF rezistov, istochniki EUF izlucheniya, polucheny pervye izobrazheniya metodom kontaktnoy litografii.