Name: Delta-Doping of Semiconductors (en Inglés)
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Author: Schubert, E. F.
ISBN: 9780521017961

portada Delta-Doping of Semiconductors (en Inglés)

Delta-Doping of Semiconductors (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Ilustrado por

E. F. Schubert

Editorial

Cambridge University Press

Autor

Schubert, E. F.

Año

2005

Idioma

Inglés

N° páginas

620

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

24.6x18.9x3.2 cm

Peso

1.09 kg.

ISBN

0521017963

ISBN13

9780521017961

Categorías

Física
Dispositivos y materiales electrónicos

Delta-Doping of Semiconductors (en Inglés)

E. F. Schubert (Ilustrado por) · Cambridge University Press · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Delta-Doping of Semiconductors (en Inglés)"

Doping profiles are a key element in the development of modern semiconductor technology. This book is the first to give a comprehensive review of the theory, fabrication, characterization, and device applications of abrupt, shallow, and narrow doping profiles in semiconductors. After an introductory chapter sets out the basic theoretical and experimental concepts involved, the authors discuss the fabrication of abrupt and narrow doping profiles by several different techniques, including epitaxial growth. They then present the techniques for characterizing doping distributions, followed by several chapters on the inherent physical properties of narrow doping profiles. The latter part of the book deals with specific devices. The book will be of great interest to graduate students, researchers, and engineers in the fields of semiconductor physics and microelectronic engineering.