Name: Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)
Price: 59.21 USD
Availability: InStock
Author: T. V., Rajesh ; S. V., Jagadeesh Chandra ; Ch, V. V. Ramana
ISBN: 9786206433781

portada Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)

Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)

Formato

Libro Físico

Autor

Rajesh T. V.

Jagadeesh Chandra S. V.

V. V. Ramana Ch

Editorial

Verlag Unser Wissen

Idioma

Alemán

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 0.4 cm

Peso

0.12 kg.

ISBN13

9786206433781

Categorías

Ingeniería electrónica

Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)

Rajesh T. V. (Autor) · Jagadeesh Chandra S. V. (Autor) · V. V. Ramana Ch (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (en Alemán)"

Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine gro e Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie für fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist hauptsächlich auf die höhere Mobilität sowohl der Löcher als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurückzuführen. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie für Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.