portada electronic properties of semiconductor interfaces (en Inglés)

electronic properties of semiconductor interfaces (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Winfried Mönch

Editorial

Springer

Año

2010

Idioma

Inglés

N° páginas

264

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

23.4x15.6x1.5 cm

Peso

0.39 kg.

ISBN

3642057780

ISBN13

9783642057786

Categorías

Física
Ingeniería aplicada de revestimientos de superficies, capas y películas
Óptica aplicada

electronic properties of semiconductor interfaces (en Inglés)

Winfried Mönch (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "electronic properties of semiconductor interfaces (en Inglés)"

Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monograph that treats the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.