portada Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)

Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)

Formato

Libro Físico

Autor

Radhika Ikkurti

Editorial

Verlag Unser Wissen

Idioma

Alemán

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.3 cm

Peso

0.10 kg.

ISBN13

9786206534457

Categorías

Física

Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)

Radhika Ikkurti (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)"

Es gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel grö er als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne nh, während die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel grö er ist grö er als die Elektronendichte: nh ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung sorgt für zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratome bekannt sind, während die im n-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung zusätzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, während das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitsträger vom höheren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitsträger vom niedrigeren zum höheren Potenzial bewegen.