Name: Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)
SKU: 59249282
Price: 68.15 USD
Availability: InStock
Author: Ikkurti, Radhika
ISBN: 9786206534471

portada Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)

Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)

Formato

Libro Físico

Autor

Radhika Ikkurti

Editorial

Editions Notre Savoir

Idioma

Francés

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.3 cm

Peso

0.10 kg.

ISBN13

9786206534471

Categorías

Física

Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)

Radhika Ikkurti (Autor) · Editions Notre Savoir · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)"

Il donne un bref résumé de la façon dont l'écart énergétique est trouvé et de leurs applications. La densité électronique est bien supérieure à la densité de trous dans le semi-conducteur de type n représenté par ne nh alors que, dans le semi-conducteur de type p, la densité de trous est beaucoup plus grande. supérieure à la densité électronique: nh ne.Dans un semi-conducteur de type n, le niveau d'énergie du donneur est proche de la bande de conduction et éloigné de la bande de valence. Dans le semi-conducteur de type p, le niveau d'énergie de l'accepteur est proche de la bande de valence et éloigné de la bande de conduction.L'impureté ajoutée dans le semi-conducteur de type p fournit des trous supplémentaires appelés atomes accepteurs, tandis que dans le semi-conducteur de type n, l'impureté fournit des électrons supplémentaires appelés atomes donneurs.Le niveau de Fermi du semi-conducteur de type n se situe entre le niveau d'énergie du donneur et la bande de conduction tandis que celui du semi-conducteur de type p se situe entre le niveau d'énergie de l'accepteur et la bande de valence.Dans le semi-conducteur de type p, les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel supérieur à un potentiel inférieur, contrairement au type n où les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel inférieur à un potentiel supérieur.