Name: Nanowire Field-Effect Transistor (FET) (en Inglés)
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Author: García-Loureiro, Antonio ; Kalna, Karol ; Seoane, Natalia

portada Nanowire Field-Effect Transistor (FET) (en Inglés)

Nanowire Field-Effect Transistor (FET) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Mdpi AG

Autor

García-Loureiro, Antonio ; Kalna, Karol ; Seoane, Natalia

Idioma

Inglés

N° páginas

Encuadernación

Tapa Dura

Dimensiones

24.4x17x1 cm

Peso

0.41 kg.

ISBN13

9783039362080

Categorías

Tecnología: cuestiones generales

Nanowire Field-Effect Transistor (FET) (en Inglés)

García-Loureiro, Antonio ; Kalna, Karol ; Seoane, Natalia (Autor) · Mdpi AG · Tapa Dura

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Reseña del libro "Nanowire Field-Effect Transistor (FET) (en Inglés)"

In the last few years, the leading semiconductor industries have introduced multi-gate non-planar transistors into their core business. These are being applied in memories and in logical integrated circuits to achieve better integration on the chip, increased performance, and reduced energy consumption. Intense research is underway to develop these devices further and to address their limitations, in order to continue transistor scaling while further improving performance. This Special Issue looks at recent developments in the field of nanowire field-effect transistors (NW-FETs), covering different aspects of the technology, physics, and modelling of these nanoscale devices.