Name: Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (en Inglés)
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Author: Yue Hao Jin Feng Zhang Jin Cheng Zhang

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portada Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (en Inglés)

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Crc Press

Autor

Yue Hao Jin Feng Zhang Jin Cheng Zhang

Idioma

Inglés

N° páginas

392

Encuadernación

Tapa Dura

ISBN13

9781498745123

N° edición

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (en Inglés)

Yue Hao Jin Feng Zhang Jin Cheng Zhang (Autor) · Crc Press · Tapa Dura

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Reseña del libro "Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (en Inglés)"

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.