Name: Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change (en Inglés)
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Author: Hai Li Yiran Chen

portada Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change (en Inglés)

Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Crc Press

Autor

Hai Li Yiran Chen

Idioma

Inglés

N° páginas

208

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9781138076631

N° edición

Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change (en Inglés)

Hai Li Yiran Chen (Autor) · Crc Press · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change (en Inglés)"

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.