Name: Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET) (en Polaco)
SKU: 66228529
Price: 67.05 USD
Availability: InStock
Author: Pal, Krishna

portada Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET) (en Polaco)

Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET) (en Polaco)

Formato

Libro Físico

Editorial

Wydawnictwo Nasza Wiedza

Autor

Pal, Krishna

Idioma

Polaco

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.3 cm

ISBN13

9786209249587

Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET) (en Polaco)

Pal, Krishna (Autor) · Wydawnictwo Nasza Wiedza · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 16 a 22 días háb.

$ 134.11$ 67.05

-50%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 50 unidades

$ 67.05

Llega entre el 22 Sep y el 02 Oct a Quito, Pichincha. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET) (en Polaco)"

W sektorze elektroniki zapotrzebowanie na doskonalenie technologiczne stale rośnie. Do tej pory najpopularniejszym materialem spelniającym obecne wymagania byl krzem. Jednakże krzem ma swój wlasny zestaw ograniczeń; krzemowe uklady scalone i skalowanie konstrukcji krzemowych MOSFET-ów stawiają czola takim problemom, jak efekt tunelowania, wplyw grubości tlenku bramki itd., co doprowadzilo do opracowania materialów alternatywnych. Rosnące zainteresowanie naukowców nanorurkami węglowymi (CNT) jako możliwym nowym typem materialu elektronicznego zaowocowalo znacznym postępem w fizyce CNT, w tym balistycznych i niebalistycznych wlaściwościach transportu elektronów. Transport o niskim odchyleniu w nanorurce może byc benearyczny balistyczny na odleglości kilkuset nanometrów. Dla niebalistycznych tranzystorów CNT stworzono rozszerzone modele na poziomie obwodu, które mogą wychwytywac zarówno balistyczne, jak i niebalistyczne zjawiska transportu elektronów, w tym efekty sprężystości, rozpraszania fononów, odksztalceń i tunelowania. W naszej sekcji wyników zbadaliśmy wplyw grubości tlenku bramki na dzialanie niebalistycznych CNTFET.