Name: Otimização dos Parâmetros Eléctricos (en Portugués)
SKU: 65854268
Price: 62.50 USD
Availability: InStock
Author: Krishna Pal

portada Otimização dos Parâmetros Eléctricos (en Portugués)

Otimização dos Parâmetros Eléctricos (en Portugués)

Formato

Libro Físico

Editorial

Edicoes Nosso Conhecimento

Autor

Krishna Pal

Idioma

Portugués

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9786209239342

Otimização dos Parâmetros Eléctricos (en Portugués)

Krishna Pal (Autor) · Edicoes Nosso Conhecimento · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 25 a 32 días háb.

$ 113.64$ 62.50

-45%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 10 unidades

$ 62.50

Llega entre el 28 Sep y el 12 Oct a Quito, Pichincha. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Otimização dos Parâmetros Eléctricos (en Portugués)"

No setor da eletrónica, a procura por melhorias tecnológicas tem vindo a aumentar constantemente. Até agora, o silício tem sido o material mais popular para atender às demandas atuais. Contudo, o silício tem o seu próprio conjunto de limites; circuitos integrados baseados em silício e o dimensionamento do projeto MOSFET de silício enfrentam questões como efeito de tunelamento, impacto na espessura do óxido de porta e assim por diante, o que levou ao desenvolvimento de materiais alternativos. O crescente interesse acadêmico em nanotubos de carbono (CNTs) como um possível novo tipo de material eletrônico resultou em avanços substanciais na física dos CNT, incluindo propriedades balísticas e não balísticas de transporte de elétrons. O transporte de baixa polarização em um nanotubo pode ser quase balístico em distâncias de várias centenas de nanômetros. Modelos estendidos de nível de circuito que podem capturar fenômenos de transporte de elétrons balísticos e não balísticos, incluindo efeitos elásticos, de espalhamento de fônons, deformação e de tunelamento, foram criados para transistores CNT não balísticos. O efeito da espessura do óxido da porta no desempenho de CNTFETs não balísticos foi investigado em nossa seção de resultados.