Name: Проектирование SRAM с низки (en Ruso)
SKU: 58650061
Price: 36.78 USD
Availability: InStock
Author: Трипа&#109 ; Верма,
ISBN: 9786205915271

portada Проектирование SRAM с низки&#1 (en Ruso)

Проектирование SRAM с низки&#1 (en Ruso)

Formato

Libro Físico

Autor

&#1 Верма

Трипа&#109

Editorial

Sciencia Scripts

Idioma

Ruso

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.3 cm

Peso

0.10 kg.

ISBN13

9786205915271

Categorías

Ingeniería electrónica

Проектирование SRAM с низки&#1 (en Ruso)

&#1 Верма (Autor) · Трипа&#109 (Autor) · Sciencia Scripts · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 25 a 32 días háb.

$ 66.87$ 36.78

-45%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 10 unidades

$ 36.78

Llega entre el 15 Oct y el 28 Oct a Quito, Pichincha. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Проектирование SRAM с низки&#1 (en Ruso)"

Большинство исследований по энергопотреблению схем было сосредоточено на мощности переключения, а мощность, рассеиваемая током утечки, была относительно незначительной областью. Однако в современных технологиях СБИС подпороговый ток становится одним из основных факторов энергопотребления, особенно в памяти высокого класса. Для снижения мощности утечки в SRAM можно применить метод ограничения мощности, а основной техникой ограничения мощности является использование спящих транзисторов для управления подпороговым током. В данном проекте используется двойное пороговое напряжение; обычные ячейки SRAM имеют более низкое пороговое напряжение, а более высокое пороговое напряжение управляет спящими транзисторами. Размер спящих транзисторов может быть выбран по току наихудшего случая и применяется к каждому блоку.