Name: Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices (en Inglés)
Price: 198.96 USD
Availability: InStock
Author: Consonni, Vincent ; Feuillet, Guy ; Baptist, Robert
ISBN: 9781848216877

portada Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices (en Inglés)

Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Wiley-Iste

Autor

Consonni, Vincent ; Feuillet, Guy ; Baptist, Robert

Tema

Us Gr Iste

Idioma

Inglés

N° páginas

368

Encuadernación

Tapa Dura

Dimensiones

23.6 x 15.7 x 2.5 cm

Peso

0.57 kg.

ISBN

1848216874

ISBN13

9781848216877

Categorías

Dispositivos y materiales electrónicos

Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices (en Inglés)

Consonni, Vincent ; Feuillet, Guy ; Baptist, Robert (Autor) · Wiley-Iste · Tapa Dura

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Reseña del libro "Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices (en Inglés)"

This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices.