Name: Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon Mesfet (en Inglés)
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Author: Iraj Sadegh Amiri; Hossein Mohammadi; Mahdiar Hosseinghadiry
ISBN: 9783030045128

portada Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon Mesfet (en Inglés)

Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon Mesfet (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Springer

Autor

Iraj Sadegh Amiri; Hossein Mohammadi; Mahdiar Hosseinghadiry

Año

2018

Idioma

Inglés

N° páginas

122

Encuadernación

Tapa Dura

ISBN13

9783030045128

N° edición

Categorías

Electrónica: circuitos y componentes

Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon Mesfet (en Inglés)

Iraj Sadegh Amiri; Hossein Mohammadi; Mahdiar Hosseinghadiry (Autor) · Springer · Tapa Dura

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Reseña del libro "Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon Mesfet (en Inglés)"

This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications.