Name: Electronic Structure of Semiconductor Interfaces (en Inglés)
SKU: 57776596
Price: 145.36 USD
Availability: InStock
Author: Mönch, Winfried
ISBN: 9783031590634

portada Electronic Structure of Semiconductor Interfaces (en Inglés)

Electronic Structure of Semiconductor Interfaces (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Winfried Mönch

Editorial

Springer

Idioma

Inglés

N° páginas

150

Encuadernación

Tapa Dura

ISBN13

9783031590634

Categorías

Física de la materia condensada (física del estado líquido y del estado sólido)
Ciencia de materiales
Dispositivos y materiales electrónicos

Electronic Structure of Semiconductor Interfaces (en Inglés)

Winfried Mönch (Autor) · Springer · Tapa Dura

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Reseña del libro "Electronic Structure of Semiconductor Interfaces (en Inglés)"

This concise volume examines the characteristic electronic parameters of semiconductor interfaces, namely the barrier heights of metal-semiconductor or Schottky contacts and the valence-band discontinuities of semiconductor-semiconductor interfaces or heterostructures. Both are determined by the same concept, namely the wave-function tails of electron states overlapping a semiconductor band gap directly at the interface. These interface-induced gap states (IFIGS) result from the complex band structure of the corresponding semiconductor. The IFIGS are characterized by two parameters, namely by their branch point, at which their charge character changes from predominantly valence-band- to conduction-band-like, and secondly by the proportionality factor or slope parameter of the corresponding electric-dipole term, which varies in proportion to the difference in the electronegativities of the two solids forming the interface. This IFIGS-and-electronegativity concept consistently and quantitatively explains the experimentally observed barrier heights of Schottky contacts as well as the valence-band offsets of heterostructures. Insulators are treated as wide band-gap semiconductors.