Name: Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies (en Inglés)
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Author: Nirmal, D. ; Ajayan, J.

portada Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies (en Inglés)

Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

CRC Press

Autor

Nirmal, D. ; Ajayan, J.

Año

2019

Idioma

Inglés

N° páginas

442

Encuadernación

Tapa Dura

ISBN13

9781138625273

N° edición

Categorías

Física
Ingeniería eléctrica
Ingeniería electrónica

Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies (en Inglés)

Nirmal, D. ; Ajayan, J. (Autor) · CRC Press · Tapa Dura

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Reseña del libro "Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies (en Inglés)"

This book focusses on III-V high electron mobility transistors (HEMTs) including basic physics, material used, fabrications details, modeling, simulation, and other important aspects. It initiates by describing principle of operation, material systems and material technologies followed by description of the structure, I-V characteristics, modeling of DC and RF parameters of AlGaN/GaN HEMTs. The book also provides information about source/drain engineering, gate engineering and channel engineering techniques used to improve the DC-RF and breakdown performance of HEMTs. Finally, the book also highlights the importance of metal oxide semiconductor high electron mobility transistors (MOS-HEMT).Key Features Combines III-As/P/N HEMTs with reliability and current status in single volume Includes AC/DC modelling and (sub)millimeter wave devices with reliability analysis Covers all theoretical and experimental aspects of HEMTs Discusses AlGaN/GaN transistors Presents DC, RF and breakdown characteristics of HEMTs on various material systems using graphs and plots