portada Modern Silicon Carbide Power Devices (en Inglés)

Modern Silicon Carbide Power Devices (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

B. Jayant Baliga

Editorial

World Scientific Publishing Company

Idioma

Inglés

N° páginas

672

Encuadernación

Tapa Dura

Dimensiones

22.9x15.2x3.7 cm

Peso

1.06 kg.

ISBN13

9789811284274

Categorías

Ingeniería eléctrica
Generación, distribución y almacenamiento de energía
Ingeniería electrónica

Modern Silicon Carbide Power Devices (en Inglés)

B. Jayant Baliga (Autor) · World Scientific Publishing Company · Tapa Dura

Libro Nuevo Importado

Envío: 20 a 27 días háb.

$ 427.81$ 213.90

-50%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 100 unidades

$ 213.90

Llega entre el 21 Sep y el 02 Oct a Quito, Pichincha. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Modern Silicon Carbide Power Devices (en Inglés)"

Silicon Carbide power devices are being increasingly adopted for many applications such as electric vehicles and charging stations. There is a large demand for a resource to learn and understand the basic physics of operation of these devices to create engineers with in depth knowledge about them.This unique compendium provides a comprehensive design guide for Silicon Carbide power devices. It systematically describes the device structures and analytical models for computing their characteristics. The device structures included are the Schottky diode, JBS rectifier, power MOSFET, JBSFET, IGBT and BiDFET. Unique structures that address achieving excellent voltage blocking and on-resistance are emphasized.This useful textbook and reference innovations for achieving superior high frequency operation and highlights manufacturing technology for the devices. The book will benefit professionals, academics, researchers and graduate students in the fields of electrical and electronic engineering, circuits and systems, semiconductors, and energy studies.