Name: Multi-Run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults (en Inglés)
Price: 54.18 USD
Availability: InStock
Author: Mrozek, Ireneusz
ISBN: 9783030081980

portada Multi-Run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults (en Inglés)

Multi-Run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Ireneusz Mrozek

Editorial

Springer

Idioma

Inglés

N° páginas

135

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

23.4 x 15.6 x 0.8 cm

Peso

0.22 kg.

ISBN13

9783030081980

Categorías

Electrónica: circuitos y componentes
Ordenadores centrales («mainframes») y miniordenadores
Arquitectura y diseño lógico de ordenadores

Multi-Run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults (en Inglés)

Ireneusz Mrozek (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Multi-Run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults (en Inglés)"

This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory. The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march testing processes. Formal methods for multi-run test generation and many solutions to increase their efficiency are described in detail. All methods presented ideas are verified by both analytical investigations and numerical simulations.Provides the first book related exclusively to the problem of multi-cell fault detection by multi-run tests in memory testing process;Presents practical algorithms for design and implementation of efficient multi-run tests;Demonstrates methods verified by analytical and experimental investigations.