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portada Compact Modeling: Principles, Techniques and Applications (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
527
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
23.4x15.6x2.8 cm
Peso
0.76 kg.
ISBN13
9789400793248

Compact Modeling: Principles, Techniques and Applications (en Inglés)

Gildenblat, Gennady (Autor) · Springer · Tapa Blanda

Compact Modeling: Principles, Techniques and Applications (en Inglés) - Gildenblat, Gennady

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Reseña del libro "Compact Modeling: Principles, Techniques and Applications (en Inglés)"

Preface. Part I. Compact Models of MOS Transistors. 1. Surface-Ppotential-Based Compact Model of Bulk MOSFET. 2. PSP-SOI: A Surface-Potential-Based Compact Model of SOI MOSFETs. 3. Benchmark Tests for MOSFET Compact Models . 4. High-Voltage MOSFET Modeling. 5. Physics of Noise Performance of Nanoscale Bulk MOS Transistors. Part II Compact Models of Bipolar Junction Transistors. 6. Introduction to Bipolar Transistor Modeling. 7. Mextram. 8. The HiCuM Bipolar Transistor Model. Part III. Compact Models of Passive Devices. 9. Integrated Resistor Modeling. 10. The JUNCAP2 Model for Junction Diodes. 11. Surface-Potential-Based MOS Varactor Model. 12. Modeling of On-chip RF Passive Components. Part IV. Modeling of Multiple Gate MOSFETs. 13. Multi-Gate MOSFET Compact Model BSIM-MG. 14. Compact Modeling of Double-Gate and Nanowire MOSFETs. Part V. Statistical Modeling. 15. Modeling of MOS Matching. 16. Statistical Modeling Using Backward Propagation of Variance (BPV). Index.

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El libro está escrito en Inglés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.

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