Name: Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)
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Author: Grabinski, Wladyslaw ; Nauwelaers, Bart ; Schreurs, Dominique

portada Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)

Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Springer

Autor

Grabinski, Wladyslaw ; Nauwelaers, Bart ; Schreurs, Dominique

Idioma

Inglés

N° páginas

294

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

24.4x17x1.7 cm

Peso

0.49 kg.

ISBN13

9789048171484

Categorías

Ingeniería eléctrica
Tecnología de microondas

Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)

Grabinski, Wladyslaw ; Nauwelaers, Bart ; Schreurs, Dominique (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)"

This comprehensive volume presents a wealth of practical knowledge in the field of MOS transistor modeling. Coverage includes the 2/3D process and device simulations with a focus on high-voltage MOSFET devices, the development of both PSP and EKV models, and comparisons of physics-based MOSFET models with measurement-based models. The variety of subjects and the high quality content of this volume make it a preferred reference for researchers and users of MOSFET devices and models. The book is recommended for everyone involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization.