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portada Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
255
Encuadernación
Tapa Dura
Dimensiones
23.4 x 15.6 x 1.6 cm
Peso
0.56 kg.
ISBN13
9783031171987

Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices (en Inglés)

Reet Chaudhuri (Autor) · Springer · Tapa Dura

Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices (en Inglés) - Chaudhuri, Reet

Libro Físico

$ 334.30

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  • Estado: Nuevo
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Reseña del libro "Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices (en Inglés)"

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.

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El libro está escrito en Inglés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Dura.

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